RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
43
Autour de -95% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
3051
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link