RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3741
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link