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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Différences
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
25
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
22
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2995
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
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