RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
43
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
3614
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link