RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
46
Autour de -77% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
26
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2353
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link