RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
46
Autour de -109% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
22
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3430
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link