RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
47
Autour de 2% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
47
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2640
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link