RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
46
Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2588
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link