Comparaison de la RAM Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

Note globale

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

22 46

Autour de -109% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

7.8 1,519.2

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 3200

Autour de 5.31 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

3-3-3-12 / 400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

241 2493

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns