RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
65
Autour de -195% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
3879
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link