RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
65
Autour de -35% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
48
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
3047
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link