RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
65
66
Autour de 2% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
2,784.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
66
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
1934
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link