RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
77
Autour de -108% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2971
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link