RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3013
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Crucial Technology ST25664BA1339.8FMR 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link