RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2919
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link