RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
38
Autour de 8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
38
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2429
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link