RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
35
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
24
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3690
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Inmos + 256MB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link