RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
44
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
36
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2946
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link