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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Comparez
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Note globale
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,072.7
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
75
Autour de -241% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
22
Vitesse de lecture, GB/s
2,730.3
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,072.7
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
3083
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaison des RAM
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Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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