RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
66
69
Autour de -5% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
66
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2429
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link