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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Comparez
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB vs SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Note globale
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Note globale
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
39
Autour de 28% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1989
2359
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparaison des RAM
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SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
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Kingston 9965589-017.D00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
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