RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Comparez
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Note globale
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.5
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
17.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2072
3935
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link