RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
45
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3429
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link