RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
48
Autour de -66% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
29
Vitesse de lecture, GB/s
8.9
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1420
2984
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link