RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de -7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3650
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link