RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
77
Autour de -133% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
3385
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link