RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
41
Autour de -116% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
19
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
3626
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link