RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
3040
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link