RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
44
Autour de -132% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
19
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
3626
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
OCZ OCZ3F13332G 2GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link