RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Comparez
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Note globale
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
3,071.4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
70
Autour de -159% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
70
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,372.7
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
3,071.4
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3711
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link