RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
63
Autour de -163% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2462
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Mushkin 994083 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link