RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
46
Autour de -31% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
35
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
1998
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link