RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
50
Autour de -39% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
2946
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link