RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
50
Autour de -72% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
3567
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link