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Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Comparez
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Note globale
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Note globale
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
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Raisons de considérer
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1989
3552
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB Comparaison des RAM
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SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
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