RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
87
Autour de -172% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3098
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link