RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
96
Autour de -256% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2785
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link