Confronto tra le RAM A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB

Punteggio complessivo

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

26 29

Intorno 10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

12.2 8.6

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.5 7.7

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C-H9 1GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1677 988

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns