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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Confronto
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
34
Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
21
34
Velocità di lettura, GB/s
17.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2771
2902
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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