RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Confronto
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
8.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
30
Intorno -36% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
22
Velocità di lettura, GB/s
16.8
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3019
2633
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link