RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Confronto
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
56
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
1,925.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
30
Velocità di lettura, GB/s
4,315.2
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,925.7
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
658
1847
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Confronto tra le RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link