RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
66
Intorno -78% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.6
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
37
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
9.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2082
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link