RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
66
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
35
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2155
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link