RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
66
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
6400
Intorno 3.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
43
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
23400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2794
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link