RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
46
Intorno -92% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
20.0
2,061.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
24
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
20.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
4029
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link