RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
46
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
2,061.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
32
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2449
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link