RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Confronto
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
71
Intorno 48% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
15.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
71
Velocità di lettura, GB/s
15.4
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2581
1650
AMD R5S38G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link