RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Confronto
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Punteggio complessivo
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
56
Intorno 54% latenza inferiore
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
56
Velocità di lettura, GB/s
13.4
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2050
2455
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9L1 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link