RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
12.6
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3437
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link