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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
32
Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
32
Velocità di lettura, GB/s
12.6
9.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2017
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
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